فسفید ایندیم

توضیحات ایندیوم فسفید

ایندیم فسفید (InP) یک نیمه رسانای دوتایی است که از ایندیم و فسفر تشکیل شده است. این ساختار کریستالی مکعبی ("زینکبلند") رو به مرکز دارد که مشابه ساختار GaAs و اکثر نیمه هادی های III-V است.

InP را می توان از واکنش فسفر سفید و یدید ایندیم در دمای 400 درجه، همچنین با ترکیب مستقیم عناصر خالص شده در دما و فشار بالا، یا با تجزیه حرارتی مخلوطی از ترکیب تری آلکیل ایندیوم و فسفین تهیه کرد.

InP در الکترونیک پرقدرت و فرکانس بالا به دلیل سرعت الکترونی برتر آن نسبت به نیمه هادی های رایج سیلیکون و گالیم آرسنید استفاده می شود. دارای یک باند گپ مستقیم است که آن را برای دستگاه های الکترونیک نوری مانند دیودهای لیزر مفید می کند. InP همچنین به عنوان بستری برای دستگاه های اپتوالکترونیکی مبتنی بر آرسنید گالیوم ایندیم همپایه استفاده می شود.

کاربردهای ایندیم فسفید و صنایع وابسته

● قطعات الکترونیکی نوری

● وسایل الکترونیکی با سرعت بالا

● فتوولتائیک

● سرامیک

● انرژی خورشیدی

● تحقیقات و آزمایشگاه

شناسه های شیمیایی

خواص فسفید ایندیم (تئوری)

تگ های محبوب: ایندیم فسفید، چین، تامین کنندگان، خرید، فروش، ساخت چین